Preview

Вестник Донского государственного технического университета

Расширенный поиск

Получение фотоактивных структур Si(n+)/Si(p)/Si(p+) методом ионно-лучевой кристаллизации

https://doi.org/10.12737/1283

Полный текст:

Аннотация

Разработана физико-математическая модель массопереноса при ионно-лучевой кристаллизации. Рассмотрено получение фотоактивных структур Si(n+)/Si(p)/Si(p+) на подложках 100 мм методом ионно-лучевой кристаллизации. Определены оптимальные условия этого процесса: остаточное давление в ростовой камере — 10−4 Па; температура подложки — 550 °C; плотность ионного тока — 2 мА/см2; ускоряющее напряжение пучка — 400 В; расстояние «мишень — подложка» — 150 мм. Данные сканирующей электронной микроскопии показывают, что выращенные фотоструктуры имеют практически бездефектную поверхность. Установлено, что фотоструктуры Si(n+)/Si(p)/Si(p+) характеризуются внешним квантовым выходом более 90 % в диапазоне длин волн 550—900 нм (спектр AM 1,5) при следующих условиях: толщина фронтального слоя Si(n+) 100 нм, уровень легирования n+ = 5·1018 см−3, толщина слоя Si(p) 130 мкм, уровень легирования p = 2·1016 см−3, толщина слоя Si(p+) 500 нм, уровень легирования p+ = 1·1018 см−3.

Об авторах

В. Н. Варавка
Донской государственный технический университет, Россия.
Россия


С. Н. Чеботарёв
Южный научный центр Российской академии наук, Россия
Россия


А. С. Пащенко
Южный научный центр Российской академии наук, Россия.
Россия


В. А. Ирха
ООО «СКТБ „Инверсия“», Россия.
Россия


Список литературы

1. Алфёров, Ж. И. Тенденции и перспективы развития солнечной энергетики / Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. Д. Румянцев // Физика и техника полупроводников. — 2004. — Т. 38, вып. 8. — С. 937–948.

2. Структуры GaAs c квантовыми точками InAs и As, полученные в едином процессе моле-кулярно-лучевой эпитаксии / В. Н. Неведомский [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2009. — Т. 43, вып. 12. — С. 1662–1666.

3. Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные ме-тодом МОС-гидридной эпитаксии / В. М. Лантратов [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2007. — Т. 41, вып. 6. — С. 751–755.

4. Чеботарёв, С. Н. Моделирование зависимостей функциональных характеристик кремни-евых солнечных элементов, полученных методом ионно-лучевого осаждения от толщины и уровня легирования фронтального слоя / С. Н. Чеботарёв, А. С. Пащенко, М. Л. Лунина // Вестник Южного научного центра. — 2011. — Т. 7, № 4. — С. 25–30.

5. Ионно-лучевое осаждение фотоактивных нанослоёв кремниевых солнечных элементов / Л. С. Лунин [и др.] // Неорганические материалы. — 2012. — Т. 48, № 5. — С. 517–522.


Для цитирования:


Варавка В.Н., Чеботарёв С.Н., Пащенко А.С., Ирха В.А. Получение фотоактивных структур Si(n+)/Si(p)/Si(p+) методом ионно-лучевой кристаллизации. Вестник Донского государственного технического университета. 2013;13(5-6):77-84. https://doi.org/10.12737/1283

For citation:


Varavka V.N., Chebotarev S.N., Pashchenko A.S., Irkha V.A. DERIVATIZATION OF PHOTOACTIVE STRUCTURES SI(N+)/SI(P)/SI(P+) THROUGH ION-BEAM CRYSTALLIZATION. Vestnik of Don State Technical University. 2013;13(5-6):77-84. (In Russ.) https://doi.org/10.12737/1283

Просмотров: 37


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1992-5980 (Print)
ISSN 1992-6006 (Online)